PNP Power Transistor ｜ 品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com
2SB817 是一款 -140V/-12A PNP 外延平面功率三极管，TO-3PB 封装，100W 耗散能力，适合 140V/12A 音频功率输出（AF 60W）等应用，片内镇流电阻带来宽安全工作区，为 Sanyo 同型号产品提供国产替代方案。
| Package | VCEO (V) | IC (A) | ICP (A) | PC (W) | hFE | Tj (℃) |
|---|---|---|---|---|---|---|
| TO-3PB | -140 | -12 | -15 | 100 | 60~200 | 150 |
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| VCBO | 集电极-基极电压 | -160 | V |
| VCEO | 集电极-发射极电压 | -140 | V |
| VEBO | 发射极-基极电压 | -6 | V |
| IC | 集电极电流（连续） | -12 | A |
| ICP | 集电极电流（脉冲） | -15 | A |
| PC | 集电极耗散功率（TC=25℃） | 100 | W |
| Tj | 最高工作结温 | 150 | ℃ |
| Tstg | 存储温度 | -40 ~ 150 | ℃ |
| 符号 | 参数 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| Rth(j-c) | 结到壳热阻 | 1.25 | ℃/W |
| 符号 | 参数 | 测试条件 | 最小 | 最大 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| V(BR)CEO | 集电极-发射极击穿电压 | IC=-5mA；RBE=∞ | -140 | -- | V |
| V(BR)CBO | 集电极-基极击穿电压 | IC=-5mA；IE=0 | -160 | -- | V |
| V(BR)EBO | 发射极-基极击穿电压 | IE=-5mA；IC=0 | -6.0 | -- | V |
| VCE(sat) | 集电极-发射极饱和电压 | IC=-5A；IB=-0.5A | -- | -2.5 | V |
| VBE(on) | 基极-发射极电压 | IC=-1A；VCE=-5V | -- | -1.5 | V |
| ICBO | 集电极截止电流 | VCB=-80V；IE=0 | -- | -100 | µA |
| IEBO | 发射极截止电流 | VEB=-4V；IC=0 | -- | -100 | µA |
| hFE | 直流电流增益 | IC=-1A；VCE=-5V | 60 | 200 | -- |
| hFE | 直流电流增益 | IC=-6A；VCE=-5V | 20 | -- | -- |
注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。
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