当前位置：首页 / 产品 / 双极型晶体管BJT

2SB817C 国产替代Silicon PNP Power Transistor

Silicon PNP Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：-140V（Min）
集电极-基极电压（V_CBO）：-160V
集电极电流（I_C）：-12A（峰值 -15A）
集电极耗散功率（P_C）：100W @ T_C=25℃
与 2SD1047 互补，140V/12A AF 60W 输出
结-壳热阻（R_{th j-c}）：1.25℃/W
封装：TO-3P

2SB817C 是一款硅 PNP 音频功率三极管，具有 -140V/-12A 的电压电流能力与高电流增益，适用于 60W 音频功率放大器输出级，与 2SD1047 互补配对，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-3P	Single-P	160	140	6	12	2.5	60	200	Silicon PNP

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	-160	V
V_CEO	集电极-发射极电压	-140	V
V_EBO	发射极-基极电压	-6	V
I_C	集电极电流（连续）	-12	A
I_CM	集电极电流（峰值）	-15	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	100	W
T_J	工作结温	150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	1.25	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=-5mA；I_B=0A	-140	--	V
V_(BR)CBO	集电极-基极击穿电压	I_C=-5mA；I_E=0A	-160	--	V
V_(BR)EBO	发射极-基极击穿电压	I_E=-5mA；I_C=0A	-6.0	--	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=-5A；I_B=-500mA	--	-2.5	V
V_BE(on)	基极-发射极导通电压	I_C=-1A；V_CE=-5V	--	-1.5	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=-80V；I_E=0A	--	-100	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=-4V；I_C=0A	--	-100	µA
h_FE-1	直流电流增益	I_C=-1A；V_CE=-5V	60	200	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=-6A；V_CE=-5V	20	--	--

h_FE 分档

档位	D	E
h_FE 范围	60-120	100-200

应用

音频功率放大器输出级140V/12A AF 60W 输出级（AF Output Applications）。
互补推挽功放与 2SD1047 互补，用于推挽功率输出级。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

如需产品选型建议、样品申请或技术咨询，欢迎通过以下方式联系我们，我们将在 24 小时内回复。

公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

官网：www.iscsemi.com

地址：江苏省无锡市新吴区新梅路68号