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2SB825 国产替代PNP Power Transistor

PNP Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压 V_(BR)CEO：-50V（Min）
集电极电流 I_C：-7A（连续）/ -12A（脉冲）
集电极耗散功率 P_C：40W（T_C=25℃）
低饱和电压 V_CE(sat)：-0.4V（Max）@ I_C=-4A
与 2SD1061 互补
封装：TO-220C

2SB825 是一款 -50V/-7A 的 PNP 功率三极管，TO-220C 封装，饱和压降低、安全工作区宽，与 2SD1061 构成互补对管，适用于电磁阀驱动等大电流开关、高速逆变器与变换器场合，为 SANYO（三洋）同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	V_CEO (V)	I_C (A)	P_C (W)	h_FE (Min)	T_j (℃)
TO-220C	-50	-7	40	70	150

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	-60	V
V_CEO	集电极-发射极电压	-50	V
V_EBO	发射极-基极电压	-6	V
I_C	集电极电流（连续）	-7	A
I_CP	集电极电流（脉冲）	-12	A
P_C	集电极耗散功率（T_C=25℃）	40	W
T_j	结温	150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_th(j-c)	结到壳热阻	3.12	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=-1mA；I_B=0	-50	--	V
V_(BR)CBO	集电极-基极击穿电压	I_C=-1mA；I_E=0	-60	--	V
V_(BR)EBO	发射极-基极击穿电压	I_E=-1mA；I_C=0	-6.0	--	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和电压	I_C=-4A；I_B=-0.4A	--	-0.4	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=-40V；I_E=0	--	-100	μA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=-4V；I_C=0	--	-100	μA
h_FE-1	直流电流增益	I_C=-1A；V_CE=-2V	70	280	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=-5A；V_CE=-2V	30	--	--

h_FE 分档

Q	R	S
70 ~ 140	100 ~ 200	140 ~ 280

应用

电磁阀驱动电磁阀等大电流开关驱动（Solenoid driving）。
高速逆变器高速逆变器与变换器（High speed inverter and converter）。
电机驱动小型直流电机驱动与功率开关。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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