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2SB826 国产替代Silicon PNP Power Transistor

Silicon PNP Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-基极电压（V_CBO）：-60V
集电极-发射极电压（V_CEO）：-50V（Min）
发射极-基极电压（V_EBO）：-6V
集电极电流（I_C）：-12A（峰值 -15A）
集电极耗散功率（P_C）：40W @ T_C=25℃
低饱和压降：V_CE(sat)=-0.5V（Max）@ I_C=-6A
直流电流增益（h_FE）：70 ~ 280 @ I_C=-1A
与 2SD1062（NPN）互补配对
封装：TO-220C

2SB826 是一款硅 PNP 功率三极管，采用 TO-220C 封装，具有 -60V/-12A 的大电流能力、低饱和压降与宽广的安全工作区，与 2SD1062（NPN）构成互补对，适用于继电器驱动、高速逆变器/变换器与通用大电流开关电路，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-220C	Single-P	-60	-50	-6	-12	-0.5	70	280	Silicon PNP

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	-60	V
V_CEO	集电极-发射极电压	-50	V
V_EBO	发射极-基极电压	-6	V
I_C	集电极电流（连续）	-12	A
I_CP	集电极电流（峰值）	-15	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	40	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	3.125	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=-1mA；I_B=0A	-50	--	V
V_(BR)CBO	集电极-基极击穿电压	I_C=-1mA；I_E=0A	-60	--	V
V_(BR)EBO	发射极-基极击穿电压	I_E=-1mA；I_C=0A	-6.0	--	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和电压	I_C=-6A；I_B=-0.3A	--	-0.5	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=-40V；I_E=0A	--	-100	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=-4V；I_C=0A	--	-100	µA
h_FE-1	直流电流增益	I_C=-1A；V_CE=-2V	70	280	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=-5A；V_CE=-2V	30	--	--

h_FE 分档

Q	R	S
70 - 140	100 - 200	140 - 280

应用

继电器驱动继电器、电磁阀等大电流负载驱动。
高速逆变器逆变器与变换器的功率开关级。
DC-DC 变换器直流变换器的大电流开关级。
通用大电流开关通用高电流开关与电源调整。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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