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2SB827 国产替代PNP Silicon Power Transistor

PNP Silicon Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：-50V（最小），V_CBO -60V
集电极电流（I_C）：-7A，峰值 -14A
集电极耗散功率（P_C）：60W @ T_C=25℃
极低饱和压降：V_CE(sat) ≤ -0.4V @ I_C=-4A，I_B=-0.4A
h_FE 分 Q / R / S 三档：70~140 / 100~200 / 140~280
TO-3PB 封装，安全工作区（ASO）宽

PNP 硅外延平面型功率晶体管，-50V/-7A/60W，低饱和压降与宽安全工作区，适用于电磁阀驱动、高速逆变器与转换器等大电流开关场合。

参数

核心参数表

Package	Polarity	V_CEO (V)	V_CBO (V)	I_C (A)	P_C (W)	h_FE	V_CE(sat) (V)
TO-3PB	PNP	-50	-60	-7	60	70~280	-0.4

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	-60	V
V_CEO	集电极-发射极电压	-50	V
V_EBO	发射极-基极电压	-6	V
I_C	集电极电流（连续）	-7	A
I_CP	集电极电流（脉冲）	-14	A
P_C	集电极耗散功率 T_C=25℃	60	W
T_j	结温	150	℃
T_stg	储存温度范围	-55~150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_th(j-c)	结到壳热阻	2.1	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=-1mA；I_B=0	-50	--	V
V_(BR)CBO	集电极-基极击穿电压	I_C=-1mA；I_E=0	-60	--	V
V_(BR)EBO	发射极-基极击穿电压	I_E=-1mA；I_C=0	-6.0	--	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和电压	I_C=-4A；I_B=-0.4A	--	-0.4	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=-40V；I_E=0	--	-100	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=-4V；I_C=0	--	-100	µA
h_FE-1	直流电流增益	I_C=-1A；V_CE=-2V	70	280	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=-5A；V_CE=-2V	30	--	--

h_FE 分档

Q	R	S
70 ~ 140	100 ~ 200	140 ~ 280

应用

电磁阀驱动-7A 电流能力与 -0.4V 低饱和压降，适合电磁阀、螺线管等感性负载驱动。
高速逆变器宽安全工作区与快速开关特性，适合低压大电流逆变场合。
DC-DC 转换器开关型转换器功率级，60W 耗散配合散热器可承载较大平均电流。
电机控制直流电机通断与调速，脉冲电流能力应对启动冲击。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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