当前位置：首页 / 产品 / 双极型晶体管BJT

2SB834PNP Epitaxial Silicon Transistor

PNP Epitaxial Silicon Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极电压（V_CEO）：-60V
集电极-基极电压（V_CBO）：-60V
发射极-基极电压（V_EBO）：-7V
集电极电流（I_C）：-3A（峰值 -6A）
集电极耗散功率（P_C）：30W @ T_C=25℃
低饱和压降：V_CE(sat)=-1.0V（Max）@ I_C=-3A，I_B=-0.3A
直流电流增益（h_FE）：60 ~ 200 @ I_C=-0.5A
封装：TO-220AB

2SB834 是一款 -60V / -3A 的 PNP 外延平面型功率三极管，采用 TO-220AB 封装，饱和压降低、电流增益线性好，与 2SD880（NPN）互补配对，适用于音频功率放大与低频功率放大电路。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-220AB	Single-P	-60	-60	-7	-3	-1.0	60	200	Silicon PNP

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	-60	V
V_CEO	集电极-发射极电压	-60	V
V_EBO	发射极-基极电压	-7	V
I_C	集电极电流（连续）	-3（峰值 -6）	A
I_B	基极电流（连续）	-0.5	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	30	W
T_j	结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CBO	集电极-基极击穿电压	I_C=-1mA；I_E=0	-60	--	V
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=-50mA；I_B=0	-60	--	V
V_(BR)EBO	发射极-基极击穿电压	I_E=-1mA；I_C=0	-7	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=-60V；I_E=0	--	-100	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=-7V；I_C=0	--	-100	µA
h_FE(1)	直流电流增益	V_CE=-5V；I_C=-0.5A	60	200	--
h_FE(2)	直流电流增益	V_CE=-5V；I_C=-3A	20	--	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=-3A；I_B=-0.3A	--	-1.0	V
V_BE(on)	基极-发射极导通电压	I_C=-0.5A；V_CE=-5V	--	-1.0	V

应用

音频功率放大音频功放输出级与推动级。
低频功率放大低频信号放大与功率输出。
串联稳压串联型稳压电源的调整管。
通用开关继电器、电磁阀等通用开关驱动。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

如需产品选型建议、样品申请或技术咨询，欢迎通过以下方式联系我们，我们将在 24 小时内回复。

公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

官网：www.iscsemi.com

地址：江苏省无锡市新吴区新梅路68号