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2SB897 国产替代Silicon PNP Darlington Power Transistor

Silicon PNP Darlington Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-基极电压（V_CBO）：-100V
集电极-发射极电压（V_CEO）：-100V
发射极-基极电压（V_EBO）：-8V
集电极电流（I_C）：-10A（连续），峰值 -15A
集电极耗散功率（P_C）：80W @ T_C=25℃
集电极-发射极饱和压降（V_CE(sat)）：-1.5V（Max）@ I_C=-10A
高直流电流增益（h_FE）：1000（Min）@ I_C=-10A
与 2SD1210（NPN 达林顿）互补配对
封装：TO-3P

2SB897 是一款 -100V / -10A / 80W 的 PNP 达林顿功率三极管，采用 TO-3P 封装，电流增益高、饱和压降低，可由前级小信号直接驱动，与 2SD1210 互补，适用于音频功放与低速大电流开关。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	P_C (W)	V_CE(sat) (V)	h_FE	Structure
TO-3P	Single-P	-100	-100	-8	-10	80	-1.5	1000 (Min)	Silicon PNP Darlington

绝对最大额定值（T_a=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	-100	V
V_CEO	集电极-发射极电压	-100	V
V_EBO	发射极-基极电压	-8	V
I_C	集电极电流（连续）	-10	A
I_CM	集电极电流（峰值）	-15	A
I_B	基极电流（连续）	-0.5	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	80	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_th(j-c)	结-壳热阻	1.56	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=-10mA；I_B=0	-100	--	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=-10A；I_B=-25mA	--	-1.5	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=-10A；I_B=-25mA	--	-2.0	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=-100V；I_E=0	--	-10	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=-8V；I_C=0	--	-5.0	mA
h_FE	直流电流增益	I_C=-10A；V_CE=-2V	1000	--	--

应用

音频功率放大音频功放输出级与大电流缓冲级。
继电器与电磁阀驱动高增益特性可由前级直接驱动。
低速大电流开关工业设备的低速大电流通断。
稳压电源大电流串联调整与扩流。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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