2SB946 国产替代Silicon PNP Power Transistor

Silicon PNP Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述

产品简介

集电极-基极电压（V_CBO）：-130V
集电极-发射极电压（V_CEO）：-80V（Min）
发射极-基极电压（V_EBO）：-7V
集电极电流（I_C）：-7A（峰值 -15A）
集电极耗散功率（P_C）：40W @ T_C=25℃
低饱和压降：V_CE(sat)=-0.5V（Max）@ I_C=-5A
直流电流增益（h_FE）：90 ~ 260 @ I_C=-3A
与 2SD1271（NPN）互补配对
封装：TO-220F（绝缘全包封）

2SB946 是一款硅 PNP 外延平面型功率三极管，采用 TO-220F 绝缘全包封（可用单颗螺钉直接固定在散热器上），具有 -130V/-80V 的高耐压、-7A 的电流能力、低饱和压降与优良的 h_FE 线性度，与 2SD1271（NPN）构成互补对，适用于功率开关与功率放大电路，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-220F	Single-P	-130	-80	-7	-7	-0.5	45	260	Silicon PNP

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	-130	V
V_CEO	集电极-发射极电压	-80	V
V_EBO	发射极-基极电压	-7	V
I_C	集电极电流（连续）	-7	A
I_CP	集电极电流（峰值）	-15	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	40	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	3.125	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=-10mA；I_B=0A	-80	--	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和电压	I_C=-5A；I_B=-0.25A	--	-0.5	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和电压	I_C=-5A；I_B=-0.25A	--	-1.5	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=-100V；I_E=0A	--	-10	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=-5V；I_C=0A	--	-50	µA
h_FE-1	直流电流增益	I_C=-0.1A；V_CE=-2V	45	--	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=-3A；V_CE=-2V	90	260	--

h_FE 分档

Q	P
90 - 180	130 - 260

应用

功率开关电源与功率开关电路。
功率放大音频与低频功率放大输出级。
电机驱动直流电机与电磁负载的驱动级。
稳压电源串联稳压电源的调整级。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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