当前位置：首页 / 产品 / 双极型晶体管BJT

2SC1505 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-基极电压（V_CBO）：300V
集电极-发射极电压（V_CEO）：300V
发射极-基极电压（V_EBO）：7V
集电极电流（I_C）：0.2A（连续）
集电极耗散功率（P_C）：15W @ T_C=25℃
集电极-发射极饱和压降（V_CE(sat)）：2.0V（Max）@ I_C=50mA
直流电流增益（h_FE）：40 ~ 200 @ I_C=10mA
高耐压、结电容小，适合高压小信号输出级
封装：TO-220

2SC1505 是一款 300V / 0.2A / 15W 的 NPN 功率三极管，采用 TO-220 封装，耐压高、结电容小、高频特性好，适用于彩电场输出、色度输出与音频输出电路。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	P_C (W)	V_CE(sat) (V)	h_FE	Structure
TO-220	Single-N	300	300	7	0.2	15	2.0	40 ~ 200	Silicon NPN

绝对最大额定值（T_a=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	300	V
V_CEO	集电极-发射极电压	300	V
V_EBO	发射极-基极电压	7	V
I_C	集电极电流（连续）	0.2	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	15	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_th(j-c)	结-壳热阻	8.33	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CBO	集电极-基极击穿电压	I_C=1mA；I_E=0	300	--	V
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=10mA；I_B=0	300	--	V
V_(BR)EBO	发射极-基极击穿电压	I_E=1mA；I_C=0	7	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=200V；I_E=0	--	0.1	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=5V；I_C=0	--	0.1	µA
h_FE	直流电流增益	I_C=10mA；V_CE=10V	40	200	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=50mA；I_B=5mA	--	2.0	V

应用

彩电场输出CRT 电视机场输出与色度输出级。
视频输出放大高耐压视频信号输出级。
音频输出级电视与显示器的音频输出电路。
高压小信号放大需要 300V 耐压的前置放大与驱动。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

如需产品选型建议、样品申请或技术咨询，欢迎通过以下方式联系我们，我们将在 24 小时内回复。

公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

官网：www.iscsemi.com

地址：江苏省无锡市新吴区新梅路68号