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2SC1507Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-基极电压（V_CBO）：300V
集电极-发射极电压（V_CEO）：300V
发射极-基极电压（V_EBO）：7V
集电极电流（I_C）：0.2A
集电极耗散功率（P_C）：15W @ T_C=25℃
直流电流增益（h_FE）：40 ~ 200 @ I_C=10mA
特征频率（f_T）：80MHz（Min）
高耐压、高频率
封装：TO-220

2SC1507 是一款 300V / 0.2A 的 NPN 外延平面型高压三极管，采用 TO-220 封装，耐压高、特征频率高、输出电容小，适用于彩色电视色度输出电路与高频小信号放大。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	P_C (W)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	Structure
TO-220	Single-N	300	300	7	0.2	15	2.0	40	Silicon NPN

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压（I_E=0）	300	V
V_CEO	集电极-发射极电压（I_B=0）	300	V
V_EBO	发射极-基极电压（I_C=0）	7	V
I_C	集电极电流（连续）	0.2	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	15	W
T_j	结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CBO	集电极-基极击穿电压	I_C=10µA；I_E=0	300	--	V
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=10mA；I_B=0	300	--	V
V_(BR)EBO	发射极-基极击穿电压	I_E=10µA；I_C=0	7	--	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=50mA；I_B=5mA	--	2.0	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=200V；I_E=0	--	0.1	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=5V；I_C=0	--	0.1	µA
h_FE	直流电流增益	I_C=10mA；V_CE=10V	40	200	--
f_T	特征频率	I_C=10mA；V_CE=30V	80	--	MHz
C_OB	输出电容	V_CB=50V；I_E=0；f=1MHz	--	4.5	pF

应用

彩色电视色度输出彩电色度信号输出级。
视频小信号放大视频与高频小信号放大。
高压小电流开关高压小电流开关电路。
通用高压放大各类高压小信号放大场合。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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