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2SC1815 国产替代Silicon NPN Epitaxial Transistor

Silicon NPN Epitaxial Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-基极电压（V_CBO）：60V
集电极-发射极电压（V_CEO）：50V
发射极-基极电压（V_EBO）：5V
集电极电流（I_C）：150mA
集电极耗散功率（P_C）：400mW @ T_a=25℃
优良的 h_FE 线性度：h_FE(2)=100（Typ）@ I_C=150mA
低噪声：NF=1dB（Typ）@ f=1kHz
与 2SA1015（O、Y、GR 档，PNP）互补配对
封装：TO-92

2SC1815 是一款硅 NPN 外延型小信号三极管，采用 TO-92 封装，具有 50V/150mA 的电压电流能力、优良的 h_FE 线性度与低噪声特性（NF=1dB），与 2SA1015（PNP）构成互补对，适用于音频通用放大、驱动级放大与小信号开关，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-92	Single-N	60	50	5	0.15	0.25	70	700	Silicon NPN

绝对最大额定值（T_a=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	60	V
V_CEO	集电极-发射极电压	50	V
V_EBO	发射极-基极电压	5	V
I_C	集电极电流	150	mA
I_B	基极电流	50	mA
P_C	集电极耗散功率 @ T_a=25℃	400	mW
T_J	结温	125	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 125	℃

电气特性（T_a=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和电压	I_C=100mA；I_B=10mA	--	0.25	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和电压	I_C=100mA；I_B=10mA	--	1.0	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=60V；I_E=0	--	0.1	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=5V；I_C=0	--	0.1	µA
h_FE(1)	直流电流增益	I_C=2mA；V_CE=6V	70	700	--
h_FE(2)	直流电流增益	I_C=150mA；V_CE=6V	25	--	--
f_T	特征频率	I_C=1mA；V_CE=10V	80	--	MHz
C_ob	集电极输出电容	V_CB=10V；I_E=0；f=1MHz	--	3.5	pF
r_bb'	基极体电阻	V_CE=10V；I_E=-1mA；f=30MHz	--	50	Ω
NF	噪声系数	V_CE=6V；I_C=0.1mA；f=1kHz；R_G=10kΩ	--	10	dB

h_FE 分档

O	Y	GR	BL
70 - 140	120 - 240	200 - 400	350 - 700

应用

音频通用放大音频前级与通用小信号放大。
驱动级放大功率级的驱动与缓冲放大。
小信号开关低电平信号的开关与调制。
传感器前置放大各类传感器信号的前置放大级。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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