当前位置：首页 / 产品 / 双极型晶体管BJT

2SC2078 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：75V（Min）
集电极-基极电压（V_CBO）：80V
集电极电流（I_C）：3A（脉冲 5A）
低饱和压降：V_CE(sat)=0.6V（Max）@ I_C=1A
集电极耗散功率（P_C）：1.2W @ T_a=25℃；10W @ T_C=25℃
直流电流增益（h_FE）：25 ~ 200（B/C/D/E 四档）
结-壳热阻（R_{th j-c}）：12.5℃/W
封装：TO-220AB（1 基极 / 2 集电极 / 3 发射极）

2SC2078 是一款硅 NPN 射频功率三极管，具有 75V/3A 的电压电流能力与 0.6V 的低饱和压降，专为 27MHz 射频功率放大应用设计，可用于 CB 电台、遥控发射、工业射频加热等射频输出级，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-220AB	Single-N	80	75	5	3	0.6	25	200	Silicon NPN

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	80	V
V_CEO	集电极-发射极电压	75	V
V_EBO	发射极-基极电压	5	V
I_C	集电极电流（连续）	3	A
I_CP	集电极电流（脉冲）	5	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_a=25℃	1.2	W
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	10	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	12.5	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CBO	集电极-基极击穿电压	I_C=0.1mA；I_B=0A	80	--	V
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=1mA；I_B=0A	75	--	V
V_(BR)EBO	发射极-基极击穿电压	I_E=0.1mA；I_C=0A	5	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=40V；I_E=0A	--	10	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=4V；I_C=0A	--	10	µA
h_FE	直流电流增益	I_C=0.5A；V_CE=5V	25	200	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=1A；I_B=0.1A	--	0.6	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=1A；I_B=0.1A	--	1.2	V

h_FE 分档（I_C=0.5A；V_CE=5V）

档位	B	C	D	E
h_FE 范围	25 ~ 50	40 ~ 80	60 ~ 120	100 ~ 200

应用

射频功率放大27MHz 射频功率放大器（RF Power Amplifier）输出级应用。
射频发射设备CB 电台、遥控与遥测发射机等小功率射频发射设备的输出级。
功率开关与驱动中低压开关与驱动电路中的通用功率放大与开关应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

如需产品选型建议、样品申请或技术咨询，欢迎通过以下方式联系我们，我们将在 24 小时内回复。

公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

官网：www.iscsemi.com

地址：江苏省无锡市新吴区新梅路68号