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2SC2168 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：200V（Min）
集电极-基极电压（V_CBO）：200V
集电极电流（I_C）：2A（峰值 3A）
低饱和压降：V_CE(sat)=1.0V（Max）@ I_C=0.5A
集电极耗散功率（P_C）：30W
直流电流增益（h_FE）：50（Min）@ I_C=0.1A
结-壳热阻（R_{th j-c}）：4.17℃/W
封装：TO-220C（1 基极 / 2 集电极 / 3 发射极）

2SC2168 是一款硅 NPN 高压功率三极管，具有 200V/2A 的电压电流能力与 30W 的集电极耗散功率，适用于电视机场偏转输出、音频输出驱动以及通用功率放大等应用，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-220C	Single-N	200	200	6	2	1.0	50	--	Silicon NPN

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	200	V
V_CEO	集电极-发射极电压	200	V
V_EBO	发射极-基极电压	6	V
I_C	集电极电流（连续）	2	A
I_CM	集电极电流（峰值）	3	A
P_C	集电极耗散功率	30	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	4.17	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=10mA；I_B=0A	200	--	V
V_(BR)CBO	集电极-基极击穿电压	I_C=1mA；I_E=0A	200	--	V
V_(BR)EBO	发射极-基极击穿电压	I_E=1mA；I_C=0A	6	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=200V；I_E=0A	--	10	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=5V；I_C=0A	--	10	µA
h_FE	直流电流增益	I_C=0.1A；V_CE=5V	50	--	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=0.5A；I_B=50mA	--	1.0	V

应用

电视机场偏转输出CRT 电视/显示器场偏转输出级（TV Vertical Deflection Output）。
音频功率放大音频输出驱动与功率放大（Audio Output Driver / Power Amplifier）级。
通用功率开关中高压直流开关、电源驱动等通用功率放大与开关应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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