2SC2314 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：45V（Min）
集电极-基极电压（V_CBO）：75V
集电极电流（I_C）：1A
集电极耗散功率（P_C）：0.75W @ T_a=25℃
直流电流增益（h_FE）：60 ~ 320，分 D / E / F 三档
低饱和压降：V_CE(sat)=0.6V（Max）@ I_C=500mA
专为 27MHz CB 收发机驱动级设计
封装：TO-126（1 发射极 / 2 集电极 / 3 基极）

2SC2314 是一款硅 NPN 外延平面功率三极管，采用 TO-126 封装，具有 75V 集电极-基极电压、45V 集电极-发射极电压与 1A 集电极电流能力，直流电流增益按 D/E/F 三档划分（60~320），集电极-发射极饱和压降仅 0.6V，专为 27MHz CB 收发机的驱动级设计，也可用于小功率射频放大与音频驱动电路，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-126	Single-N	75	45	5	1	0.6	60	320	Silicon NPN

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	75	V
V_CEO	集电极-发射极电压	45	V
V_EBO	发射极-基极电压	5	V
I_C	集电极电流（连续）	1	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_a=25℃	0.75	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=1mA；I_B=0	45	--	V
V_(BR)CBO	集电极-基极击穿电压	I_C=10µA；I_E=0	75	--	V
V_(BR)EBO	发射极-基极击穿电压	I_E=10µA；I_C=0	5	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=40V；I_E=0	--	1.0	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=4V；I_C=0	--	1.0	µA
h_FE	直流电流增益	I_C=500mA；V_CE=5V	60	320	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=500mA；I_B=50mA	--	0.6	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=500mA；I_B=50mA	--	1.2	V

h_FE 分档

D	E	F
60 ~ 120	100 ~ 200	160 ~ 320

应用

CB 收发机驱动27MHz CB（市民波段）收发机的驱动级应用。
小功率射频放大HF/VHF 频段小功率射频放大级应用。
音频驱动音频放大电路的前置与驱动级应用。
通用开关通用小信号开关与线性放大应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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