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2SC2335 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极维持电压（V_CEO(SUS)）：400V（Min）
集电极-基极电压（V_CBO）：500V
低饱和压降：V_CE(sat)=1.0V（Max）@ I_C=3A
集电极电流（I_C）：7A
集电极耗散功率（P_C）：40W @ T_C＝25℃
高速开关，适合 115/220V 开关模式应用
封装：TO-220C

2SC2335 是一款硅 NPN 高压高速开关功率三极管，具有 400V 高耐压与低饱和压降，适用于开关稳压器、逆变器、DC-DC 转换器等 115/220V 开关模式应用，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-220C	Single-N	500	400	7	7	1.0	20	80	Silicon NPN

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	500	V
V_CEO	集电极-发射极电压	400	V
V_EBO	发射极-基极电压	7	V
I_C	集电极电流（连续）	7	A
P_C	总耗散功率 @ T_C=25℃	40	W
T_J	工作结温	150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	3.2	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=10mA；I_B=0	400	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=400V；I_E=0	--	10	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=5V；I_C=0	--	10	µA
h_FE-1	直流电流增益	I_C=0.1A；V_CE=5V	20	80	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=1A；V_CE=5V	20	80	--
h_FE-3	直流电流增益	I_C=3A；V_CE=5V	10	--	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=3A；I_B=0.6A	--	1.0	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=3A；I_B=0.6A	--	1.2	V

h_FE 分档

档位	M	L	K
h_FE 范围	20-40	30-60	40-80

应用

高速高压转换器高速高压转换器（High-speed high-voltage converters）应用。
高频功率放大器高频功率放大器（High-frequency power amplifiers）应用。
DC-DC 转换器DC-DC 转换器（DC/DC Converters）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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