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2SC2336 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：180V（Min）
集电极电流（I_C）：1.5A（峰值 3A）
低饱和压降：V_CE(sat)=1.0V（Max）@ I_C=500mA
集电极耗散功率（P_C）：25W @ T_C=25℃
直流电流增益（h_FE）：60 ~ 320（R/Q/P 三档）
结-壳热阻（R_{th j-c}）：5.0℃/W
封装：TO-220C（1 基极 / 2 集电极 / 3 发射极）

2SC2336 是一款硅 NPN 功率三极管，具有 180V/1.5A 的电压电流能力，h_FE 线性度好、饱和压降低，适用于音频功率放大与高频功率放大等场景，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-220C	Single-N	180	180	5	1.5	1.0	60	320	Silicon NPN

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	180	V
V_CEO	集电极-发射极电压	180	V
V_EBO	发射极-基极电压	5	V
I_C	集电极电流（连续）	1.5	A
I_CM	集电极电流（峰值）	3	A
P_C	总耗散功率	25	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	5.0	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=10mA；I_B=0	180	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=150V；I_E=0	--	1.0	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=3V；I_C=0	--	1.0	µA
h_FE1	直流电流增益	I_C=5mA；V_CE=5V	30	--	--
h_FE2	直流电流增益	I_C=150mA；V_CE=5V	60	320	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=500mA；I_B=50mA	--	1.0	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=500mA；I_B=50mA	--	1.5	V

h_FE 分档

档位	R	Q	P
h_FE 范围	60-120	100-200	160-320

应用

音频功率放大音频功率放大（Audio power amplification）应用。
高频功率放大高频功率放大（High-frequency power amplification）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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