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2SC2581Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压：V_(BR)CEO=140V（Min）
集电极-基极电压：V_CBO=200V
集电极电流：I_C=10A（连续）
集电极耗散功率：P_C=100W
饱和压降：V_CE(sat)=2.0V（Max）@ I_C=5A
与 2SA1106（PNP）互补配对
封装：TO-3PN（1 基极 / 2 集电极 / 3 发射极）

2SC2581 是一款 140V / 10A 硅 NPN 功率三极管，采用 TO-3PN 封装，具有高耐压、大电流与高耗散能力，适用于音频功率放大与 DC-DC 变换器，与 2SA1106（PNP）互补配对。

参数

核心参数表

Package	V_CBO (V)	V_CEO (V)	I_C (A)	P_C (W)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	T_j (℃)	Structure
TO-3PN	200	140	10	100	2.0	50	150	Silicon NPN

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	200	V
V_CEO	集电极-发射极电压	140	V
V_EBO	发射极-基极电压	6	V
I_C	集电极电流（连续）	10	A
P_C	集电极耗散功率	100	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	1.25	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=10mA；I_B=0	140	--	V
V_(BR)CBO	集电极-基极击穿电压	I_C=1mA；I_E=0	200	--	V
V_(BR)EBO	发射极-基极击穿电压	I_E=1mA；I_C=0	6	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=200V；I_E=0	--	100	μA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=6V；I_C=0	--	100	μA
h_FE	直流电流增益	I_C=3A；V_CE=4V	50	--	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=5A；I_B=0.5A	--	2.0	V

应用

音频功率放大音频功放输出级（audio power amplifier）。
DC-DC 变换器开关电源与 DC-DC 变换器的功率级。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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