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2SC2611 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-基极电压（V_CBO）：300V
集电极-发射极电压（V_CEO）：300V
高耐压，适用于高压放大
集电极电流（I_C）：100mA
集电极耗散功率（P_C）：1.25W
直流电流增益（h_FE）：30 ~ 200
封装：TO-126F

2SC2611 是一款硅 NPN 高耐压三极管，具有 300V 高击穿电压与低饱和压降，适用于高压放大器与电视机视频输出等应用，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-126F	Single-N	300	300	5	0.1	1.5	30	200	Silicon NPN

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	300	V
V_CEO	集电极-发射极电压	300	V
V_EBO	发射极-基极电压	5.0	V
I_C	集电极电流（连续）	100	mA
P_C	集电极耗散功率	1.25	W
T_J	工作结温	150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃

电气特性（Ta=25℃）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_CBO	集电极-基极击穿电压	I_C=10µA；I_E=0	300	--	V
V_CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=1.0mA；I_B=0	300	--	V
V_EBO	发射极-基极击穿电压	I_E=10µA；I_C=0	5.0	--	V
I_CEO	集电极截止电流	V_CE=250V；I_B=0	--	1.0	µA
h_FE	直流电流增益	V_CE=20V；I_C=20mA	30	200	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=20mA；I_B=2.0mA	--	1.5	V
f_T	特征频率	V_CE=20V；I_C=20mA	50	80	MHz
C_ob	反向传输电容	V_CB=20V；I_E=0；f=1.0MHz	--	4.0	pF

应用

高压放大器高压放大器（High voltage amplifier）应用。
电视机视频输出电视机视频输出（TV video output）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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