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2SC2625 国产替代NPN Power Transistor

NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压 V_(BR)CEO：400V（Min）
集电极电流 I_C：10A
集电极耗散功率 P_C：80W（T_C=25℃）
集电极-发射极饱和电压 V_CE(sat)：1.2V（Max）@ I_C=4A
高速开关，高可靠性
封装：TO-3P

2SC2625 是一款 400V/10A 的 NPN 功率开关三极管，TO-3P 封装，三重扩散平面工艺，耐高压、开关速度快，适用于开关稳压器、高频逆变器、超声波发生器与功率放大等场合，为富士电机（Fuji Electric）同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	V_CEO (V)	I_C (A)	P_C (W)	h_FE (Min)	T_j (℃)
TO-3P	400	10	80	10	150

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	450	V
V_CEO	集电极-发射极电压	400	V
V_EBO	发射极-基极电压	7	V
I_C	集电极电流（连续）	10	A
P_C	集电极耗散功率（T_C=25℃）	80	W
T_j	结温	150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_th(j-c)	结到壳热阻	1.55	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=10mA；I_B=0	400	--	V
V_(BR)CBO	集电极-基极击穿电压	I_C=1mA；I_E=0	450	--	V
V_(BR)EBO	发射极-基极击穿电压	I_E=0.1mA；I_C=0	7	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=450V；I_E=0	--	1.0	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=7V；I_C=0	--	0.1	mA
h_FE	直流电流增益	I_C=4A；V_CE=5V	10	--	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和电压	I_C=4A；I_B=0.8A	--	1.2	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和电压	I_C=4A；I_B=0.8A	--	1.5	V

应用

开关稳压器开关电源与开关稳压器（Switching regulators）。
高频逆变器高频逆变与变换电路（High frequency inverters）。
超声波发生器超声波发生器驱动级（Ultrasonic generators）。
功率放大通用功率放大器。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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