2SC2655 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述

产品简介

集电极-基极电压（V_CBO）：50V
集电极-发射极电压（V_CEO）：50V（Min）
发射极-基极电压（V_EBO）：5V
集电极电流（I_C）：2A
集电极耗散功率（P_C）：0.9W
低饱和压降：V_CE(sat)=0.5V（Max）@ I_C=1A
高速开关：t_stg=1.0µs（Typ）
与 2SA1020（PNP）互补配对
封装：TO-92MOD

2SC2655 是一款硅 NPN 外延型功率三极管，采用 TO-92MOD 封装，具有 50V/2A 的电压电流能力、低饱和压降（0.5V @1A）、0.9W 的高耗散功率与高速开关特性，与 2SA1020（PNP）构成互补对，适用于功率放大、功率开关与驱动电路，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-92MOD	Single-N	50	50	5	2	0.5	70	240	Silicon NPN

绝对最大额定值（T_a=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	50	V
V_CEO	集电极-发射极电压	50	V
V_EBO	发射极-基极电压	5	V
I_C	集电极电流（连续）	2	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_a=25℃	0.9	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃

电气特性（T_a=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_CEO	集电极-发射极维持电压	I_C=10mA；I_B=0A	50	--	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和电压	I_C=1A；I_B=0.05A	--	0.5	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和电压	I_C=1A；I_B=0.05A	--	1.2	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=50V	--	1	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=5V	--	1	µA
h_FE-1	直流电流增益	I_C=500mA；V_CE=2V	70	240	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=1.5A；V_CE=2V	40	--	--

h_FE 分档

O	Y
70 - 140	120 - 240

应用

功率放大音频与低频功率放大输出级。
功率开关中小功率开关电路。
继电器驱动继电器与小功率电磁负载驱动。
稳压调整小功率串联稳压的调整管。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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