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2SC2688 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：300V（Min）
集电极-基极电压（V_CBO）：300V
集电极电流（I_C）：0.2A
低饱和压降：V_CE(sat)=1.5V（Max）@ I_C=50mA
集电极耗散功率（P_C）：10W @ T_C=25℃
直流电流增益（h_FE）：40 ~ 250（N/M/L/K 四档）
抗静电能力强（E-B 反偏，C=2300pF）
封装：TO-126（1 发射极 / 2 集电极 / 3 基极）

2SC2688 是一款硅 NPN 高反压小功率三极管，具有 300V 集电极-发射极耐压与 10W（T_C=25℃）的耗散功率，h_FE 分 N/M/L/K 四档、一致性好，专为彩色电视机色度输出电路设计，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-126	Single-N	300	300	5	0.2	1.5	40	250	Silicon NPN

绝对最大额定值（T_a=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	300	V
V_CEO	集电极-发射极电压	300	V
V_EBO	发射极-基极电压	5	V
I_C	集电极电流（连续）	0.2	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	10	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=10mA；I_B=0	300	--	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=50mA；I_B=5mA	--	1.5	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=200V；I_E=0	--	0.1	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=5V；I_C=0	--	0.1	µA
h_FE	直流电流增益	I_C=10mA；V_CE=10V	40	250	--

h_FE 分档

档位	N	M	L	K
h_FE 范围	40-80	60-120	100-200	160-250

应用

彩电色度输出彩色电视机色度输出电路（Color TV chroma output circuits）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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