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2SC2690A 国产替代NPN Power Transistor

NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压 V_(BR)CEO：160V（Min）
集电极电流 I_C：1.2A 连续，I_CM：2.5A 峰值
集电极耗散功率 P_C：20W @ T_C=25℃
集电极饱和压降 V_CE(sat)：≤0.7V @ I_C=1A
直流电流增益 h_FE：60~320（R / Q / P 三档）
封装：TO-126（MP-5）

2SC2690A 是一款 160V/1.2A NPN 功率三极管，TO-126（MP-5）封装，耐压高、饱和压降低、增益分档齐全，适合作 50~100W 音频放大器的驱动级、电视垂直偏转输出级与通用功率开关，与 2SA1220A 互补配对，为 NEC 同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	V_CEO (V)	V_CBO (V)	I_C (A)	P_C (W)	V_CE(sat) (V)	h_FE (min)	T_j (℃)
TO-126	160	160	1.2	20	≤0.7	60	150

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	160	V
V_CEO	集电极-发射极电压	160	V
V_EBO	发射极-基极电压	5	V
I_C	集电极电流（连续）	1.2	A
I_CM	集电极电流（峰值）	2.5	A
P_C	总耗散功率（T_C=25℃）	20	W
T_j	结温	150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_th(j-c)	结到壳热阻	6.25	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=10mA；I_B=0	160	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=120V；I_E=0	--	1.0	μA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=3V；I_C=0	--	1.0	μA
h_FE1	直流电流增益	I_C=5mA；V_CE=5V	35	--	--
h_FE2	直流电流增益	I_C=0.3A；V_CE=5V	60	320	--
V_CE(sat)	集电极饱和压降	I_C=1A；I_B=0.2A	--	0.7	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=1A；I_B=0.2A	--	1.3	V

h_FE 分档

R	Q	P
60 ~ 120	100 ~ 200	160 ~ 320

应用

音频功率放大50~100W 音频放大器的驱动级与输出级。
显示偏转电路显示器件的偏转输出级（Deflection circuit）。
通用功率开关通用功率开关与驱动。
互补配对与 2SA1220A 组成互补推挽级。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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