当前位置：首页 / 产品 / 双极型晶体管BJT

2SC3074 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

TO-251（IPAK）封装
集电极-基极电压（V_CBO）：60V
集电极-发射极电压（V_CEO）：50V
集电极电流（I_C）：5A
h_FE 线性度好，饱和压降低
开关速度快，适用于高速逆变与转换电路
与 2SA1244 互补配对

2SC3074 是一款硅 NPN 功率三极管，采用 TO-251（IPAK）封装，具有 50V/5A 的电压电流能力，h_FE 线性度好、饱和压降低、开关速度快，适用于继电器驱动、高速逆变器与转换器等大电流开关应用，与 2SA1244 构成互补对，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-251	Single-N	60	50	5	5	0.4	70	240	Silicon NPN

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	60	V
V_CEO	集电极-发射极电压	50	V
V_EBO	发射极-基极电压	5	V
I_C	集电极电流	5	A
I_B	基极电流	1	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_a=25℃	1	W
T_j	最高结温	150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极维持电压	I_C=1mA；I_B=0	50	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=50V；I_E=0	--	1	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=5V；I_C=0	--	1	µA
h_FE1	直流电流增益	I_C=1A；V_CE=1V	70	240	--
h_FE2	直流电流增益	I_C=3A；V_CE=1V	30	--	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=3A；I_B=0.15A	--	0.4	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=3A；I_B=0.15A	--	1.2	V

h_FE 分档

档位	O	Y
h_FE 范围	70 - 140	120 - 240

应用

高速逆变器高速逆变器（High-speed inverters）应用。
继电器驱动继电器驱动（Relay drivers）应用。
转换器转换器与大电流开关（Converters / High current switching）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

如需产品选型建议、样品申请或技术咨询，欢迎通过以下方式联系我们，我们将在 24 小时内回复。

公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

官网：www.iscsemi.com

地址：江苏省无锡市新吴区新梅路68号