2SC3090 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述

产品简介

集电极-基极电压（V_CBO）：800V
集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：500V（Min）
集电极电流（I_C）：10A（峰值 20A）
低饱和压降：V_CE(sat)=1.0V（Max）@ I_C=6A，I_B=1.2A
集电极耗散功率（P_C）：100W @ T_c=25℃（2.5W @ T_a=25℃）
直流电流增益（h_FE）：15 ~ 50（L/M/N 三档）
高速开关：t_on=1.0µs，t_s=3.0µs，t_f=1.0µs
宽安全工作区（ASO）
封装：TO-3PN（1 基极 / 2 集电极 / 3 发射极）

2SC3090 是一款硅 NPN 三重扩散平面型高压功率三极管，采用 TO-3PN 封装，具有 800V 的集电极-基极电压、500V 的集电极-发射极击穿电压、10A 电流能力与 100W 的耗散功率，开关速度快、安全工作区宽，专为 500V/10A 开关稳压器设计，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-3PN	Single-N	800	500	7	10	1.0	15	50	Silicon NPN

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	800	V
V_CEO	集电极-发射极电压	500	V
V_EBO	发射极-基极电压	7	V
I_C	集电极电流（连续）	10	A
I_CP	集电极电流（脉冲）	20	A
I_B	基极电流（连续）	4	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_c=25℃	100	W
P_C	集电极耗散功率 @ T_a=25℃	2.5	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CBO	集电极-基极击穿电压	I_C=1mA；I_E=0	800	--	V
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=5mA；R_BE=∞	500	--	V
V_(BR)EBO	发射极-基极击穿电压	I_E=1mA；I_C=0	7	--	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=6A；I_B=1.2A	--	1.0	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=6A；I_B=1.2A	--	1.5	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=500V；I_E=0	--	10	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=5V；I_C=0	--	10	µA
h_FE-1	直流电流增益	I_C=1.2A；V_CE=5V	15	50	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=6A；V_CE=5V	8	--	--
f_T	特征频率	I_C=1.2A；V_CE=10V	18	--	MHz
C_ob	输出电容	V_CB=10V；I_E=0；f=1MHz	--	160	pF
t_on	开通时间	I_C=7A；I_B1=-I_B2=1.4A	--	1.0	µs
t_s	存储时间	I_C=7A；I_B1=-I_B2=1.4A	--	3.0	µs
t_f	下降时间	I_C=7A；I_B1=-I_B2=1.4A	--	1.0	µs

h_FE 分档

档位	L	M	N
h_FE-1 范围	15-30	20-40	30-50

应用

开关稳压器500V/10A 开关稳压器（Switching regulator）应用。
高压功率开关高压功率开关与逆变电路应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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