当前位置：首页 / 产品 / 双极型晶体管BJT

2SC3150 国产替代NPN Silicon Power Transistor

NPN Silicon Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：800V（最小），V_CBO 900V
集电极电流（I_C）：3A，峰值 10A
集电极耗散功率（P_C）：50W @ T_C=25℃
开关速度快，安全工作区（ASO）宽
h_FE 分 K / L / M 三档：10~20 / 15~30 / 20~40
TO-220 封装，适合开关稳压电源一次侧功率级

NPN 三重扩散平面型硅功率晶体管，800V 耐压、50W 耗散，专为开关稳压器（SMPS）等高压高速开关场合设计。

参数

核心参数表

Package	Polarity	V_CEO (V)	V_CBO (V)	I_C (A)	P_C (W)	h_FE	V_CE(sat) (V)
TO-220	NPN	800	900	3	50	10~40	2.0

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	900	V
V_CEO	集电极-发射极电压	800	V
V_EBO	发射极-基极电压	7	V
I_C	集电极电流（连续）	3	A
I_CM	集电极电流（峰值）	10	A
I_B	基极电流（连续）	1.5	A
P_C	集电极耗散功率 T_C=25℃	50	W
T_j	结温	150	℃
T_stg	储存温度范围	-55~150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_th(j-c)	结到壳热阻	2.5	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CBO	集电极-基极击穿电压	I_C=1mA；I_E=0	900	--	V
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=10mA；I_B=0	800	--	V
V_(BR)EBO	发射极-基极击穿电压	I_E=1mA；I_C=0	7	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=800V；I_E=0	--	10	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=5V；I_C=0	--	10	µA
h_FE-1	直流电流增益	I_C=0.2A；V_CE=5V	10	40	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=1A；V_CE=5V	8	--	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和电压	I_C=1.5A；I_B=0.3A	--	2.0	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和电压	I_C=1.5A；I_B=0.3A	--	1.5	V

h_FE 分档

K	L	M
10 ~ 20	15 ~ 30	20 ~ 40

应用

开关稳压电源作为反激/正激变换器一次侧主开关管，800V 耐压适配 220V 交流整流后的高压母线。
逆变器与转换器高压高速开关场合的功率级，配合宽安全工作区应对关断尖峰。
通用高压开关需要 800V 级耐压与中等电流（3A）能力的开关电路。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

如需产品选型建议、样品申请或技术咨询，欢迎通过以下方式联系我们，我们将在 24 小时内回复。

公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

官网：www.iscsemi.com

地址：江苏省无锡市新吴区新梅路68号