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2SC3153 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-基极电压（V_CBO）：900V
集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：800V（Min）
集电极电流（I_C）：6A（峰值 20A）
集电极耗散功率（P_C）：100W @ T_C=25℃
快速开关速度，宽安全工作区（Wide ASO）
结-壳热阻（R_{th j-c}）：1.25℃/W
封装：TO-3PN

2SC3153 是一款硅 NPN 高压功率三极管，具有 800V/6A 的高耐压大电流能力、快速开关速度与宽安全工作区，适用于开关稳压器与高压开关、高速 DC-DC 变换器，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-3PN	Single-N	900	800	7	6	2.0	10	40	Silicon NPN

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	900	V
V_CEO	集电极-发射极电压	800	V
V_EBO	发射极-基极电压	7	V
I_C	集电极电流（连续）	6	A
I_CM	集电极电流（峰值）	20	A
I_B	基极电流（连续）	3	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	100	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	1.25	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CBO	集电极-基极击穿电压	I_C=1mA；I_E=0	900	--	V
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=10mA；I_B=0	800	--	V
V_(BR)EBO	发射极-基极击穿电压	I_E=1mA；I_C=0	7	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=800V；I_E=0	--	10	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=5V；I_C=0	--	10	µA
h_FE-1	直流电流增益	I_C=0.4A；V_CE=5V	10	40	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=2A；V_CE=5V	8	--	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=3A；I_B=0.6A	--	2.0	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=3A；I_B=0.6A	--	1.5	V

h_FE-1 分档

档位	K	L	M
h_FE 范围	10-20	15-30	20-40

应用

开关稳压器与高压开关开关稳压器（Switching Regulator）与高压开关（High Voltage Switching）应用。
高速 DC-DC 变换器高速 DC-DC 变换器（High Speed DC-DC Converter）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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