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2SC3157 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-基极电压（V_CBO）：100V
集电极-发射极电压（V_CEO）：100V（Min）
发射极-基极电压（V_EBO）：7V
集电极电流（I_C）：10A（峰值 20A）
集电极耗散功率（P_C）：60W @ T_C=25℃
低饱和压降：V_CE(sat)=0.6V（Max）@ I_C=5A
高速开关特性、大电流容量
与 2SA1261（PNP）互补配对
封装：TO-220C

2SC3157 是一款硅 NPN 功率三极管，采用 TO-220C 封装，具有 100V/10A 的电压电流能力、0.6V 的低饱和压降与 60W 的高耗散功率，开关速度快、安全工作区宽，适用于高压高速开关、开关电源驱动级与 DC/DC 变换器，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-220C	Single-N	100	100	7	10	0.6	40	200	Silicon NPN

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	100	V
V_CEO	集电极-发射极电压	100	V
V_EBO	发射极-基极电压	7.0	V
I_C	集电极电流（连续）	10	A
I_CM	集电极电流（峰值）	20	A
I_B	基极电流（连续）	3.5	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	60	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度	-65 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	2.08	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极维持电压	I_C=10mA；I_B=0A	100	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=100V；I_E=0A	--	10	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=5V；I_C=0A	--	10	µA
h_FE-1	直流电流增益	I_C=0.5A；V_CE=5V	40	200	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=3.0A；V_CE=5V	40	200	--
h_FE-3	直流电流增益	I_C=5.0A；V_CE=5V	20	--	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和电压	I_C=5.0A；I_B=0.5A	--	0.6	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和电压	I_C=5.0A；I_B=0.5A	--	1.5	V

h_FE 分档

M	L	K
40 - 80	60 - 120	100 - 200

应用

高压高速开关高压、高速功率开关电路。
开关电源驱动开关稳压电源的驱动级与开关级。
DC-DC 变换器直流变换器的功率开关级。
高频功率变换高频功率变换与脉冲电路。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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