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2SC3263 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-基极电压（V_CBO）：230V
集电极-发射极电压（V_CEO）：230V
发射极-基极电压（V_EBO）：5V
集电极电流（I_C）：15A
集电极耗散功率（P_C）：130W @ T_C=25℃
低饱和压降：V_CE(sat)=2.0V（Max）@ I_C=5A，I_B=0.5A
直流电流增益宽电流范围线性度好：h_FE=50 ~ 140 @ I_C=5A
LAPT 结构，特征频率高
与 2SA1294（PNP）互补配对
封装：TO-3PN（B-C-E）

2SC3263 是一款 230V / 15A 硅 NPN 外延平面功率三极管（LAPT 结构），采用 TO-3PN 封装，在宽广的集电极电流范围内 h_FE 保持恒定，因此失真低、音质好，与 PNP 型的 2SA1294 构成互补对管，适用于音频功率放大器输出级与通用功率放大电路。

参数

核心参数表

Package	Polarity	V_CBO (V)	V_CEO (V)	I_C (A)	P_C (W)	h_FE	V_CE(sat) (V)	T_j (℃)	Structure
TO-3PN	NPN	230	230	15	130	50~140	2.0	150	Silicon NPN

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	230	V
V_CEO	集电极-发射极电压	230	V
V_EBO	发射极-基极电压	5	V
I_C	集电极电流（连续）	15	A
I_B	基极电流（连续）	4	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	130	W
T_j	结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	0.96	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=10mA；I_B=0	230	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=230V；I_E=0	--	100	μA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=5V；I_C=0	--	100	μA
h_FE	直流电流增益	I_C=5A；V_CE=4V	50	140	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=5A；I_B=0.5A	--	2.0	V

应用

音频功率放大器Hi-Fi 功放输出级，与 2SA1294 互补推挽使用。
通用功率放大宽电流范围 h_FE 线性好，适合线性放大级。
音频功放驱动级大功率功放的推动级与并联输出。
稳压与调整电路串联稳压、电子负载等功率调整环节。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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