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2SC3264 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-基极电压（V_CBO）：230V
集电极-发射极电压（V_CEO）：230V
发射极-基极电压（V_EBO）：5V
集电极电流（I_C）：17A（连续），基极电流 5A
集电极耗散功率（P_C）：200W @ T_C=25℃
集电极-发射极饱和压降（V_CE(sat)）：2.0V（Max）@ I_C=5A
直流电流增益（h_FE）线性好：50 ~ 140 @ I_C=5A
与 2SA1295（PNP）互补配对
封装：MT-200

2SC3264 是一款 230V / 17A / 200W 的 NPN 功率三极管，采用 MT-200 封装，h_FE 线性好、安全工作区宽，与 2SA1295（PNP）互补，适用于音频功放输出级与通用功率放大、开关电路。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	P_C (W)	V_CE(sat) (V)	h_FE	Structure
MT-200	Single-N	230	230	5	17	200	2.0	50 ~ 140	Silicon NPN

绝对最大额定值（T_a=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	230	V
V_CEO	集电极-发射极电压	230	V
V_EBO	发射极-基极电压	5	V
I_C	集电极电流（连续）	17	A
I_B	基极电流（连续）	5	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	200	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_th(j-c)	结-壳热阻	0.63	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=10mA；I_B=0	230	--	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=5A；I_B=0.5A	--	2.0	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=230V；I_E=0	--	100	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=5V；I_C=0	--	100	µA
h_FE	直流电流增益	I_C=5A；V_CE=4V	50	140	--

应用

音频功率放大功放输出级，与 2SA1295 组成互补推挽。
通用功率放大大功率线性放大与驱动级。
串联稳压大电流串联调整管。
电机与执行器驱动需要大电流、较高耐压的开关场合。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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