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2SC3296 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-基极电压（V_CBO）：150V
集电极-发射极电压（V_CEO）：150V
发射极-基极电压（V_EBO）：5V
集电极电流（I_C）：1.5A（连续），基极电流 0.5A
集电极耗散功率（P_C）：20W @ T_C=25℃
集电极-发射极饱和压降（V_CE(sat)）：1.5V（Max）@ I_C=0.5A
直流电流增益（h_FE）：40 ~ 140 @ I_C=0.5A
与 2SA1304（PNP）互补配对，安全工作区宽
封装：TO-220F

2SC3296 是一款 150V / 1.5A / 20W 的 NPN 功率三极管，采用 TO-220F 全塑封封装，安全工作区宽，与 2SA1304（PNP）互补配对，适用于功率放大与场输出（垂直输出）电路。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	P_C (W)	V_CE(sat) (V)	h_FE	Structure
TO-220F	Single-N	150	150	5	1.5	20	1.5	40 ~ 140	Silicon NPN

绝对最大额定值（T_a=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	150	V
V_CEO	集电极-发射极电压	150	V
V_EBO	发射极-基极电压	5	V
I_C	集电极电流（连续）	1.5	A
I_B	基极电流（连续）	0.5	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	20	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_th(j-c)	结-壳热阻	6.25	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=10mA；I_B=0	150	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=120V；I_E=0	--	10	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=5V；I_C=0	--	10	µA
h_FE-1	直流电流增益	I_C=0.5A；V_CE=10V	40	140	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=1A；V_CE=5V	8	--	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=0.5A；I_B=50mA	--	1.5	V
V_BE(on)	基极-发射极开启电压	I_C=0.5A；V_CE=10V	--	0.85	V

应用

音频功率放大功放输出级，与 2SA1304 组成互补推挽。
场输出（垂直输出）CRT 电视机场偏转输出级。
串联稳压中功率串联调整管。
通用功率驱动需要较高耐压的线性放大与驱动场合。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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