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2SC3320 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

TO-3P 封装
三重扩散平面工艺（Triple Diffused Planar）
集电极-基极电压（V_CBO）：500V
集电极-发射极电压（V_CEO）：400V（I_C=10mA 时 V_CEO(SUS)≥400V）
集电极电流（I_C）：15A
集电极耗散功率（P_C）：80W @ T_C=25℃
高速开关特性，饱和压降 V_CE(sat)≤1.0V @ I_C=6A
结-壳热阻（R_{th j-c}）：1.56℃/W

2SC3320 是一款硅 NPN 功率三极管，采用 TO-3P 封装与三重扩散平面工艺，具有 400V/15A 的电压电流能力、80W 耗散功率与 1.0V 的低饱和压降，开关速度快、可靠性高，适用于开关稳压器、超声波发生器与高频逆变器等应用，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-3P	Single-N	500	400	7	15	1.0	10	--	Silicon NPN

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	500	V
V_CEO	集电极-发射极电压	400	V
V_EBO	发射极-基极电压	7	V
I_C	集电极电流（连续）	15	A
I_B	基极电流（连续）	5	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	80	W
T_j	最高结温	150	℃
T_stg	存储温度	-65 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	1.56	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CBO	集电极-基极击穿电压	I_C=1mA；I_E=0	500	--	V
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=10mA；I_B=0	400	--	V
V_(BR)EBO	发射极-基极击穿电压	I_E=1mA；I_C=0	7	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=500V；I_E=0	--	1	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=7V；I_C=0	--	1	mA
h_FE	直流电流增益	I_C=6A；V_CE=5V	10	--	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=6A；I_B=1.2A	--	1.0	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=6A；I_B=1.2A	--	1.5	V

应用

开关稳压器开关稳压器（Switching Regulators）应用。
超声波发生器超声波发生器（Ultrasonic Generators）应用。
高频逆变器高频逆变器（High Frequency Inverters）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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