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2SC3356 国产替代Silicon NPN RF Transistor

Silicon NPN RF Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-基极电压（V_CBO）：20V
集电极-发射极电压（V_CEO）：12V
特征频率（f_T）：7GHz（Typ）
低噪声高增益：NF=1.1dB（Typ）、G_a=11dB（Typ）@ V_CE=10V，I_C=7mA，f=1.0GHz
高功率增益：MAG=13dB（Typ）@ V_CE=10V，I_C=20mA，f=1.0GHz
集电极耗散功率（P_C）：0.2W @ T_C=25℃
封装：SOT-23-3L（引脚 1=基极 B，2=发射极 E，3=集电极 C）

2SC3356 是一款硅 NPN 高频低噪声三极管，具有 7GHz 的特征频率与低噪声、高增益特性，动态范围大、电流特性好，适用于 VHF、UHF 及 CATV 频段的低噪声放大器，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (mA)	h_FE Min	h_FE Max	f_T (GHz)	Structure
SOT-23-3L	Single-N	20	12	3.0	100	50	300	7	Silicon NPN

引脚配置（SOT-23-3L）

引脚	符号	功能
1	B	基极（Base）
2	E	发射极（Emitter）
3	C	集电极（Collector）

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	20	V
V_CEO	集电极-发射极电压	12	V
V_EBO	发射极-基极电压	3.0	V
I_C	集电极电流（连续）	0.1	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	0.2	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度	-65 ~ 150	℃

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	典型	最大	单位
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=10V；I_E=0	--	--	1.0	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=1V；I_C=0	--	--	1.0	µA
h_FE	直流电流增益	I_C=20mA；V_CE=10V	50	--	300	--
f_T	特征频率（增益带宽积）	I_C=20mA；V_CE=10V	--	7	--	GHz
C_re	反馈电容	I_E=0；V_CB=10V；f=1.0MHz	--	0.55	1.0	pF
\|S_21e\|²	插入功率增益	I_C=20mA；V_CE=10V；f=1.0GHz	--	11.5	--	dB
NF	噪声系数	I_C=7mA；V_CE=10V；f=1.0GHz	--	1.1	2.0	dB

h_FE 为脉冲测量：脉宽 PW ≤ 350µs，占空比 ≤ 2%。

h_FE 分档（Marking：R23 / R24 / R25）

档位	Q	R	S
h_FE 范围	50-100	80-160	125-250

应用

VHF/UHF 低噪声放大器甚高频 / 特高频（VHF / UHF）频段低噪声放大器（Low Noise Amplifier）应用。
CATV 宽带放大器有线电视（CATV）频段宽带低噪声放大器应用。
微波低噪声放大器微波（Microwave）频段低噪声放大器应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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