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2SC3357Silicon NPN RF Transistor

Silicon NPN RF Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：12V（Min）
集电极-基极电压（V_CBO）：20V
集电极电流（I_C）：0.1A
总耗散功率（P_C）：1.2W
特征频率（f_T）：6.5GHz（典型）
低噪声、高功率增益：N_F 1.7dB @ f=1GHz
封装：SOT-89（1 基极 / 2 集电极 / 3 发射极）

2SC3357 是一款硅 NPN 外延平面射频三极管，采用 SOT-89（3 脚功率微型封装），特征频率达 6.5GHz，具有低噪声、高功率增益与大动态范围的特点，适用于 VHF/UHF 频段低噪声放大器与 CATV 宽带放大器，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	P_C (W)	f_T (GHz)	N_F (dB)	Structure
SOT-89	Single-N	20	12	3	0.1	1.2	6.5	1.7	Silicon NPN

绝对最大额定值（T_a=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	20	V
V_CEO	集电极-发射极电压	12	V
V_EBO	发射极-基极电压	3	V
I_C	集电极电流	0.1	A
P_C	总耗散功率	1.2	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度	-65 ~ 150	℃

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=1mA；I_B=0	12	--	V
V_(BR)CBO	集电极-基极击穿电压	I_C=100µA；I_E=0	20	--	V
V_(BR)EBO	发射极-基极击穿电压	I_E=100µA；I_C=0	3	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=20V；I_E=0	--	1.0	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=3V；I_C=0	--	1.0	µA
h_FE	直流电流增益	I_C=20mA；V_CE=10V	50	250	--
f_T	特征频率	V_CE=10V；I_C=20mA	6.5（Typ）	--	GHz
C_re	反馈电容	V_CB=10V；I_E=0；f=1MHz	--	0.65（Typ）	pF
\|S_21e\|²	功率增益	V_CE=10V；I_C=20mA；f=1GHz	10（Typ）	--	dB
N_F	噪声系数	V_CE=10V；I_C=7mA；f=1GHz	--	1.7（Typ）	dB
N_F	噪声系数	V_CE=10V；I_C=40mA；f=1GHz	--	2.6（Typ）	dB

h_FE 分档

等级	R_H	R_F	R_E
h_FE 范围	50 ~ 100	80 ~ 160	125 ~ 250

应用

VHF 低噪声放大VHF 频段低噪声放大器（VHF band low-noise amplifier）应用。
CATV 宽带放大CATV 宽带放大器（CATV broadband amplifier）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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