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2SC3421 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：120V（Min）
集电极-基极电压（V_CBO）：120V
集电极电流（I_C）：1A
集电极耗散功率（P_C）：10W @ T_C=25℃
直流电流增益（h_FE）：80 ~ 240 @ I_C=100mA
增益线性度好（Good Linearity of h_FE）
与 2SA1358（PNP）互补配对
封装：TO-126（1 发射极 / 2 集电极 / 3 基极）

2SC3421 是一款硅 NPN 功率三极管，具有 120V/1A 的电压电流能力，增益线性度好、饱和压降低，与 PNP 型 2SA1358 互补配对，适用于 60~80W 音频功率放大器的驱动级与通用放大场景，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-126	Single-N	120	120	5	1	1.0	80	240	Silicon NPN

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	120	V
V_CEO	集电极-发射极电压	120	V
V_EBO	发射极-基极电压	5	V
I_C	集电极电流（连续）	1	A
I_B	基极电流（连续）	0.1	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	10	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=10mA；I_B=0	120	--	V
V_(BR)EBO	发射极-基极击穿电压	I_E=1mA；I_C=0	5	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=120V；I_E=0	--	0.1	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=5V；I_C=0	--	0.1	µA
h_FE	直流电流增益	I_C=0.1A；V_CE=5V	80	240	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=500mA；I_B=50mA	--	1.0	V
V_BE(on)	基极-发射极导通电压	I_C=500mA；V_CE=5V	--	1.0	V

h_FE 分档

O	Y
80 ~ 160	120 ~ 240

应用

音频功率放大音频功率放大器（Audio Frequency Power Amplifier）应用。
功放驱动级60~80W 音频功放的驱动级（Driver）应用。
通用放大通用放大（General Purpose）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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