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2SC3498 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-基极电压（V_CBO）：500V
集电极-发射极电压（V_CEO）：400V
发射极-基极电压（V_EBO）：5V
集电极电流（I_C）：15A（连续），峰值 30A
集电极耗散功率（P_C）：150W @ T_C=25℃
集电极-发射极饱和压降（V_CE(sat)）：1.5V（Max）@ I_C=8A
封装：TO-3PN

2SC3498 是一款 400V / 15A / 150W 的 NPN 功率三极管，采用 TO-3PN 封装，耐压高、饱和压降低，适用于通用功率放大、开关电源与逆变电路。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	P_C (W)	V_CE(sat) (V)	h_FE	Structure
TO-3PN	Single-N	500	400	5	15	150	1.5	20 ~ 40	Silicon NPN

绝对最大额定值（T_a=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	500	V
V_CEO	集电极-发射极电压	400	V
V_EBO	发射极-基极电压	5	V
I_C	集电极电流（连续）	15	A
I_CM	集电极电流（峰值）	30	A
I_B	基极电流	4	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	150	W
T_J	结温	-55 ~ 150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_th(j-c)	结-壳热阻	0.833	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=10mA；I_B=0	400	--	V
I_CEO	集电极截止电流	V_CE=400V；I_B=0	--	1.0	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=5V；I_C=0	--	0.1	mA
h_FE	直流电流增益	I_C=1A；V_CE=5V	20	40	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=8A；I_B=0.8A	--	1.5	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=8A；I_B=0.8A	--	2.5	V

应用

通用功率放大高压大电流放大与驱动级。
开关电源高压侧主开关与调整管。
逆变器中小功率逆变输出级。
行输出与偏转高压脉冲输出场合。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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