2SC3503 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：300V（Min）
集电极-基极电压（V_CBO）：300V
集电极电流（I_C）：0.1A（峰值 0.2A）
低饱和压降：V_CE(sat)=0.6V（Max）@ I_C=20mA
集电极耗散功率（P_C）：7W @ T_C=25℃
直流电流增益（h_FE）：40 ~ 320（C/D/E/F 四档）
特征频率（f_T）：150MHz（Min）
低反向传输电容：C_re=1.8pF @ V_CB=30V
与 2SA1381（PNP）互补配对
封装：TO-126（1 发射极 / 2 集电极 / 3 基极）

2SC3503 是一款硅 NPN 高压功率三极管，具有 300V 的高集电极-发射极击穿电压、0.1A 电流能力与 150MHz 的特征频率，饱和压降低、增益线性度好（低 THD），与 PNP 型 2SA1381 互补配对，适用于音频/电压放大与恒流源、CRT 显示视频输出及通用放大等场景，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-126	Single-N	300	300	5	0.1	0.6	40	320	Silicon NPN

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	300	V
V_CEO	集电极-发射极电压	300	V
V_EBO	发射极-基极电压	5	V
I_C	集电极电流（连续）	0.1	A
I_CP	集电极电流（脉冲）	0.2	A
P_C	总耗散功率 @ T_C=25℃	7	W
T_J, T_stg	结温与存储温度	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	17.8	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CBO	集电极-基极击穿电压	I_C=10µA；I_E=0	300	--	V
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=1mA；I_B=0	300	--	V
V_(BR)EBO	发射极-基极击穿电压	I_E=10µA；I_C=0	5	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=200V；I_E=0	--	0.1	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=4V；I_C=0	--	0.1	µA
h_FE	直流电流增益	V_CE=10V；I_C=10mA	40	320	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=20mA；I_B=2mA	--	0.6	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=20mA；I_B=2mA	--	1.0	V
f_T	特征频率	V_CE=30V；I_C=10mA	150	--	MHz
C_ob	输出电容	V_CB=30V；f=1MHz	--	2.6	pF
C_re	反向传输电容	V_CB=30V；f=1MHz	--	1.8	pF

h_FE 分档

档位	C	D	E	F
h_FE 范围	40-80	60-120	100-200	160-320

应用

音频 / 电压放大与恒流源音频放大、电压放大与恒流源（Audio, Voltage Amplifier and Current Source）应用。
CRT 显示视频输出CRT 显示视频输出（CRT Display, Video Output）应用。
通用放大器通用放大（General Purpose Amplifier）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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