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2SC3519A 国产替代NPN Silicon Power Transistor

NPN Silicon Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极电压（V_CEO）：180V
集电极电流（I_C）：15A
宽电流范围内 h_FE 线性度好：50 ~ 180 @ I_C=5A
低饱和压降：V_CE(sat) ≤ 2.0V @ I_C=5A，I_B=0.5A
高转换频率 f_T 典型 50MHz
LAPT 结构，TO-3P 封装，25℃ 壳温耗散 130W
与 2SA1386A（PNP）互补

LAPT（Linear Amplifier Power Transistor）结构的 NPN 音频功率晶体管，宽电流范围内增益平坦，适合高品质音频功放输出级。

参数

核心参数表

Package	Polarity	V_CEO (V)	V_CBO (V)	I_C (A)	P_C (W)	h_FE	V_CE(sat) (V)
TO-3P	NPN	180	180	15	130	50~180	2.0

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	180	V
V_CEO	集电极-发射极电压	180	V
V_EBO	发射极-基极电压	5	V
I_C	集电极电流（连续）	15	A
I_B	基极电流（连续）	4	A
P_C	集电极耗散功率 T_C=25℃	130	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	储存温度范围	-55~150	℃

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=25mA; I_B=0	180	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=180V; I_E=0	--	100	μA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=5V; I_C=0	--	100	μA
h_FE	直流电流增益	I_C=5A; V_CE=4V	50	180	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和电压	I_C=5A; I_B=0.5A	--	2.0	V

典型特性

符号	参数	测试条件	典型值	单位
f_T	特征频率	V_CE=12V; I_E=-2A	50	MHz
C_OB	集电极输出电容	V_CB=10V; I_E=0; f=1MHz	250	pF

开关特性（典型值）

符号	参数	测试条件	典型值	单位
t_on	导通时间	I_C=10A; R_L=4Ω; V_CC=40V	0.2	μs
t_stg	存储时间	I_C=10A; R_L=4Ω; V_CC=40V	1.3	μs
t_f	下降时间	I_C=10A; R_L=4Ω; V_CC=40V	0.45	μs

h_FE 分档

O	P	Y
50~100	70~140	90~180

应用

音频功放输出级与 2SA1386A 互补，用于 Hi-Fi 与专业音响功放末级。
音频功放驱动级驱动大功率输出级，宽电流范围增益平坦降低失真。
线性稳压电源大电流线性调整场合。
通用功率放大仪表、工业设备中的线性放大电路。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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