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2SC3631 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：400V（Min）
集电极-基极击穿电压（BV_CBO）：500V（Min）
高击穿电压设计
低集电极-发射极饱和压降：V_CE(sat)=1.0V（Max）@ I_C=1.0A
集电极电流（I_C）：2A
集电极耗散功率（P_C）：2W @ T_C=25℃
h_FE 线性度好，开关速度快
封装：TO-251/IPAK

2SC3631 是一款硅 NPN 功率三极管，采用 TO-252(DPAK) 封装，具有 400V 高击穿电压、优良的 hFE 线性度与快速开关特性，适用于继电器驱动、高速逆变器、变换器与大电流开关应用，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-251/IPAK	Single-N	500	400	7	2	1.0	40	120	Silicon NPN

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	500	V
V_CEO	集电极-发射极电压	400	V
V_EBO	发射极-基极电压	7	V
I_C	集电极电流（连续）	2	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	2	W
T_J	工作结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	典型	最大	单位
BV_CBO	集电极-基极击穿电压	I_C=1mA；I_B=0	500	--	--	V
BV_CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=10mA；I_B=0	400	--	--	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=1.0A；I_B=0.2A	--	--	1.0	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=1.0A；I_B=0.2A	--	--	1.5	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=500V；I_E=0	--	--	10	μA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=7V；I_C=0	--	--	10	μA
h_FE-1	直流电流增益	I_C=100mA；V_CE=5V	40	--	120	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=1A；V_CE=5V	6	--	--	--

应用

继电器驱动继电器驱动（Relay Driver）应用。
高速逆变高速逆变器（High-Speed Inverter）与变换器（Converter）。
大电流开关大电流开关（High Current Switching）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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