Silicon NPN Power Transistor ｜ 品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com
2SC3709 是一款硅 NPN 功率三极管，具有低集电极饱和压降、优良的 hFE 线性度与快速开关特性，适用于大电流开关应用，与 2SA1451 互补配对，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。
| Package | Configuration | VCBO (V) | VCEO (V) | VEBO (V) | IC (A) | VCE(sat) (V) | hFE Min | hFE Max | Structure |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TO-220F | Single-N | 60 | 50 | 6 | 12 | 0.4 | 40 | 240 | Silicon NPN |
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| VCBO | 集电极-基极电压 | 60 | V |
| VCEO | 集电极-发射极电压 | 50 | V |
| VEBO | 发射极-基极电压 | 6 | V |
| IC | 集电极电流（连续） | 12 | A |
| IB | 基极电流（连续） | 2 | A |
| PC | 集电极耗散功率 @ TC=25℃ | 30 | W |
| TJ | 工作结温 | 150 | ℃ |
| Tstg | 存储温度范围 | -55 ~ 150 | ℃ |
| 符号 | 参数 | 测试条件 | 最小 | 典型 | 最大 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| V(BR)CEO | 集电极-发射极击穿电压 | IC=50mA；IB=0 | 50 | -- | -- | V |
| VCE(sat) | 集电极-发射极饱和压降 | IC=6A；IB=0.3A | -- | -- | 0.4 | V |
| VBE(sat) | 基极-发射极饱和压降 | IC=6A；IB=0.3A | -- | -- | 1.2 | V |
| ICBO | 集电极截止电流 | VCB=60V；IE=0 | -- | -- | 10 | μA |
| IEBO | 发射极截止电流 | VEB=6V；IC=0 | -- | -- | 10 | μA |
| hFE-1 | 直流电流增益 | IC=1A；VCE=1V | 70 | -- | 240 | -- |
| hFE-2 | 直流电流增益 | IC=6A；VCE=1V | 40 | -- | -- | -- |
| COB | 输出电容 | IE=0；VCB=10V；ftest=1MHz | -- | -- | 180 | pF |
| fT | 特征频率 | IC=1A；VCE=5V | -- | 90 | -- | MHz |
| ton | 导通时间 | IB1=-IB2=0.3A；RL=5Ω；VCC≈30V | -- | -- | 0.2 | μs |
| tstg | 存储时间 | 同上 | -- | -- | 1.0 | μs |
| tf | 下降时间 | 同上 | -- | -- | 0.2 | μs |
| 档位 | O | Y |
|---|---|---|
| hFE 范围 | 70 ~ 140 | 120 ~ 240 |
注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。
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