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2SC3710 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：80V（Min）
集电极电流（I_C）：12A
集电极耗散功率（P_C）：30W @ T_C=25℃
低饱和压降：V_CE(sat)=0.4V（Max）@ I_C=6A
直流电流增益线性度好（Good Linearity of h_FE）
开关速度快（High Switching Speed）
与 2SA1452（PNP）互补配对
封装：TO-220F（1 基极 / 2 集电极 / 3 发射极）

2SC3710 是一款硅 NPN 功率三极管，具有 80V/12A 的电压电流能力与 30W 耗散功率，饱和压降低、电流增益线性度好、开关速度快，与 PNP 型 2SA1452 互补配对，适用于开关稳压器与变换器等大电流开关场景，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-220F	Single-N	80	80	6	12	0.4	70	240	Silicon NPN

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	80	V
V_CEO	集电极-发射极电压	80	V
V_EBO	发射极-基极电压	6	V
I_C	集电极电流（连续）	12	A
I_B	基极电流（连续）	2	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	30	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=50mA；I_B=0	80	--	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=6A；I_B=0.3A	--	0.4	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=6A；I_B=0.3A	--	1.2	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=80V；I_E=0	--	10	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=6V；I_C=0	--	10	µA
h_FE-1	直流电流增益	I_C=1A；V_CE=1V	70	240	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=6A；V_CE=1V	40	--	--
C_ob	输出电容	I_C=0；V_CB=10V；I_E=0；f=1MHz	--	220（Typ）	pF
f_T	特征频率	I_C=1A；V_CE=5V	--	80（Typ）	MHz

h_FE 分档

O	Y
70 ~ 140	120 ~ 240

应用

开关稳压器开关稳压器（Switching Regulator）应用。
变换器变换器（Converter）应用。
大电流开关大电流开关与功率驱动场景。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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