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2SC3746 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-基极电压（V_CBO）：80V
集电极-发射极电压（V_CEO）：60V
发射极-基极电压（V_EBO）：5V
集电极电流（I_C）：5A（连续），峰值 7A
集电极耗散功率（P_C）：20W @ T_C=25℃
集电极-发射极饱和压降（V_CE(sat)）：0.4V（Max）@ I_C=2.5A
直流电流增益（h_FE）：70 ~ 280 @ I_C=1A，线性好
与 2SA1469（PNP）互补配对，开关速度快
封装：TO-220F

2SC3746 是一款 60V / 5A / 20W 的 NPN 功率三极管，采用 TO-220F 全塑封封装，饱和压降低、h_FE 线性好、开关速度快，与 2SA1469（PNP）互补，适用于电感负载驱动、逆变与变换电路及车载功放。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	P_C (W)	V_CE(sat) (V)	h_FE	Structure
TO-220F	Single-N	80	60	5	5	20	0.4	70 ~ 280	Silicon NPN

绝对最大额定值（T_a=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	80	V
V_CEO	集电极-发射极电压	60	V
V_EBO	发射极-基极电压	5	V
I_C	集电极电流（连续）	5	A
I_CM	集电极电流（峰值）	7	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	20	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_th(j-c)	结-壳热阻	6.25	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CBO	集电极-基极击穿电压	I_C=1mA；I_E=0	80	--	V
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=10mA；I_B=0	60	--	V
V_(BR)EBO	发射极-基极击穿电压	I_E=1mA；I_C=0	5	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=40V；I_E=0	--	100	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=4V；I_C=0	--	100	µA
h_FE	直流电流增益	I_C=1A；V_CE=2V	70	280	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=2.5A；I_B=125mA	--	0.4	V

应用

电感负载与灯驱动继电器、电磁阀、车灯等感性负载驱动。
逆变与变换电路逆变器、变换器（闪光灯、荧光灯点灯电路）。
车载音频功放大功率汽车音响输出级。
高速开关开关稳压器与驱动级。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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