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2SC3834 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：120V（Min）
集电极-基极电压（V_CBO）：200V
低集电极-发射极饱和压降：V_CE(sat)=0.5V（Max）@ I_C=3A
集电极电流（I_C）：7A（脉冲 14A）；基极电流（I_B）：3A
集电极耗散功率（P_C）：50W @ T_C=25℃
直流电流增益 h_FE：70 ~ 220 @ I_C=3A，V_CE=4V
h_FE 线性度好
结-壳热阻（R_{th j-c}）：2.5℃/W
封装：TO-220

2SC3834 是一款硅 NPN 功率三极管，具有低集电极-发射极饱和压降与良好的 hFE 线性度，适用于加湿器、DC/DC 变换器及通用开关应用，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-220	Single-N	200	120	8	7	0.5	70	220	Silicon NPN

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	200	V
V_CEO	集电极-发射极电压	120	V
V_EBO	发射极-基极电压	8	V
I_C	集电极电流（连续）	7	A
I_CM	集电极电流（脉冲）	14	A
I_B	基极电流（连续）	3	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	50	W
T_J	工作结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	2.5	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=10mA，I_B=0	120	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=200V，I_E=0	--	100	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=8V，I_C=0	--	100	µA
h_FE	直流电流增益	I_C=3A，V_CE=4V	70	220	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=3A，I_B=0.3A	--	0.5	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=3A，I_B=0.3A	--	1.2	V

h_FE 分档

档位	O	Y	G
h_FE 范围	70 ~ 120	100 ~ 200	160 ~ 220

应用

加湿器加湿器（Humidifier）驱动。
DC-DC 变换DC/DC 变换器（DC-DC Converter）。
通用开关通用（General Purpose）开关应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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