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2SC3835 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-基极电压（V_CBO）：200V
集电极-发射极电压（V_CEO）：120V
发射极-基极电压（V_EBO）：8V
集电极电流（I_C）：7A（脉冲 14A）
集电极耗散功率（P_C）：70W @ T_C=25℃
低饱和压降：V_CE(sat)=0.5V（Max）@ I_C=3A
直流电流增益（h_FE）：70 ~ 220 @ I_C=3A
结-壳热阻（R_{th j-c}）：1.79℃/W
封装：TO-3P

2SC3835 是一款 120V / 7A 的 NPN 三重扩散平面型功率三极管，采用 TO-3P 封装，饱和压降低、电流增益线性好，适用于加湿器、DC-DC 变换器与通用功率开关场合。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	P_C (W)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	Structure
TO-3P	Single-N	200	120	8	7	70	0.5	70	Silicon NPN

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	200	V
V_CEO	集电极-发射极电压	120	V
V_EBO	发射极-基极电压	8	V
I_C	集电极电流（连续）	7	A
I_CM	集电极电流（脉冲）	14	A
I_B	基极电流（连续）	3	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	70	W
T_j	结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	1.79	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=10mA；I_B=0	120	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=200V；I_E=0	--	100	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=8V；I_C=0	--	100	µA
h_FE	直流电流增益	I_C=3A；V_CE=4V	70	220	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=3A；I_B=0.3A	--	0.5	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=3A；I_B=0.3A	--	1.2	V

应用

加湿器驱动超声波加湿器的功率驱动。
DC-DC 变换器开关电源与直流变换器的开关管。
电机驱动中小功率直流电机驱动。
通用功率开关各类通用功率开关场合。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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