当前位置：首页 / 产品 / 双极型晶体管BJT

2SC3852 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：60V（Min）
集电极-基极电压（V_CBO）：80V
高直流电流增益：h_FE=200（Min）@ I_C=0.5A
低饱和压降：V_CE(sat)=0.5V（Max）@ I_C=2A
集电极电流（I_C）：3A
集电极耗散功率（P_C）：25W @ T_C=25℃
封装：TO-220F

2SC3852 是一款硅 NPN 功率三极管，具有高直流电流增益与低饱和压降，适用于电磁阀与电机驱动、串联稳压器及通用功率应用，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-220F	Single-N	80	60	6	3	0.5	200	—	Silicon NPN

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	80	V
V_CEO	集电极-发射极电压	60	V
V_EBO	发射极-基极电压	6	V
I_C	集电极电流（连续）	3	A
I_B	基极电流（连续）	1	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	25	W
T_J	工作结温	150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	3.13	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=10mA；I_B=0	60	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=80V；I_E=0	--	100	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=6V；I_C=0	--	100	µA
h_FE	直流电流增益	I_C=0.5A；V_CE=4V	200	--	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=2A；I_B=50mA	--	0.5	V

应用

电磁阀与电机驱动电磁阀（Solenoid）与电机（Motor）驱动应用。
串联稳压器串联稳压器（Series regulator）应用。
通用功率应用通用功率应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

如需产品选型建议、样品申请或技术咨询，欢迎通过以下方式联系我们，我们将在 24 小时内回复。

公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

官网：www.iscsemi.com

地址：江苏省无锡市新吴区新梅路68号