当前位置：首页 / 产品 / 双极型晶体管BJT

2SC3856 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：180V（Min）
集电极电流（I_C）：15A
集电极耗散功率（P_C）：130W @ T_C=25℃
集电极-发射极饱和压降：V_CE(sat)=2.0V（Max）@ I_C=5A
直流电流增益（h_FE）：50 ~ 180 @ I_C=3A
安全工作区（ASO）宽
与 2SA1492（PNP）互补配对
封装：TO-3P（1 基极 / 2 集电极 / 3 发射极）

2SC3856 是一款硅 NPN 三重扩散型功率三极管，具有 180V/15A 的电压电流能力与 130W 耗散功率，安全工作区宽、饱和压降低，与 PNP 型 2SA1492 互补配对，适用于音频功率放大器输出级与通用功率放大场景，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-3P	Single-N	180	180	6	15	2.0	50	180	Silicon NPN

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	180	V
V_CEO	集电极-发射极电压	180	V
V_EBO	发射极-基极电压	6	V
I_C	集电极电流（连续）	15	A
I_B	基极电流（连续）	4	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	130	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	0.96	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极维持电压	I_C=10mA；I_B=0	180	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=180V；I_E=0	--	100	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=6V；I_C=0	--	100	µA
h_FE	直流电流增益	I_C=3A；V_CE=4V	50	180	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=5.0A；I_B=0.5A	--	2.0	V

h_FE 分档

O	P	Y
50 ~ 80	80 ~ 130	130 ~ 180

应用

音频功率放大音频功率放大器输出级（Audio amplifier output stage）应用。
通用放大通用放大与功率放大（Audio, general purpose）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

如需产品选型建议、样品申请或技术咨询，欢迎通过以下方式联系我们，我们将在 24 小时内回复。

公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

官网：www.iscsemi.com

地址：江苏省无锡市新吴区新梅路68号