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2SC3866 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-基极电压（V_CBO）：900V
集电极-发射极电压（V_CEO）：800V
集电极电流（I_C）：3A
集电极耗散功率（P_C）：40W @ T_C=25℃
高耐压、高速开关、高可靠性
封装：TO-220F（绝缘型，1 基极 / 2 集电极 / 3 发射极）

2SC3866 是一款 900V / 800V、3A 的硅 NPN 高压功率三极管，采用 TO-220F 绝缘封装，开关速度快、耐压余量充足，适用于开关稳压器、超声波发生器、高频逆变器与通用功率放大电路，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-220F	Single-N	900	800	10	3	1.0	10	--	Silicon NPN

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	900	V
V_CEO	集电极-发射极电压	800	V
V_EBO	发射极-基极电压	10	V
I_C	集电极电流（连续）	3	A
I_B	基极电流（连续）	1	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	40	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	3.13	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CBO	集电极-基极击穿电压	I_C=1mA；I_E=0	900	--	V
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=10mA；I_B=0	800	--	V
V_(BR)EBO	发射极-基极击穿电压	I_E=1mA；I_C=0	10	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=900V；I_E=0	--	1.0	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=10V；I_C=0	--	1.0	mA
h_FE	直流电流增益	I_C=1A；V_CE=5V	10	--	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=1A；I_B=0.2A	--	1.0	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=1A；I_B=0.2A	--	1.5	V

应用

开关稳压器高压开关稳压电源的功率开关应用。
超声波发生器超声波发生电路的功率振荡与驱动应用。
高频逆变器高频逆变与功率变换电路的开关应用。
功率放大通用功率放大电路的输出级应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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