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2SC3994Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-基极电压（V_CBO）：1100V
集电极-发射极电压（V_CEO）：800V
集电极电流（I_C）：25A（脉冲 60A）
集电极耗散功率（P_C）：300W @ T_C=25℃
饱和压降：V_CE(sat)=2.0V（Max）@ I_C=12A，I_B=2.4A
开关速度快：t_f=0.3µs（Max）
安全工作区宽，适合高压大电流开关
封装：TO-3P

2SC3994 是一款 800V / 25A / 300W 的 NPN 三重扩散平面型硅功率三极管，采用 TO-3P 封装，耐压高、开关速度快、安全工作区宽，适用于开关稳压电源与其他高压大电流开关电路。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	I_C (A)	P_C (W)	V_CE(sat) (V)	h_FE	t_f (µs)	Structure
TO-3P	Single-N	1100	800	25	300	2.0	10 ~ 60	0.3	Silicon NPN

绝对最大额定值（T_a=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	1100	V
V_CEO	集电极-发射极电压	800	V
V_EBO	发射极-基极电压	7	V
I_C	集电极电流（连续）	25	A
I_CM	集电极电流（脉冲）	60	A
I_B	基极电流（连续）	12	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	300	W
T_j	结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CBO	集电极-基极击穿电压	I_C=1mA；I_E=0	1100	--	V
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=10mA；R_BE=∞	800	--	V
V_(BR)EBO	发射极-基极击穿电压	I_E=1mA；I_C=0	7	--	V
V_CEX(sus)	集电极-发射极维持电压	I_C=12A；I_B1=-I_B2=-2.4A；L=50µH	800	--	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=12A；I_B=2.4A	--	2.0	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=12A；I_B=2.4A	--	1.5	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=800V；I_E=0	--	10	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=5V；I_C=0	--	10	µA
h_FE-1	直流电流增益	I_C=1.6A；V_CE=5V	10	60	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=8A；V_CE=5V	8	--	--
t_stg	存储时间	V_CC=400V；I_C=20A	--	3.0	µs
t_f	下降时间	V_CC=400V；I_C=20A	--	0.3	µs

应用

开关稳压电源离线式高压输入的功率开关级。
大功率 DC/DC高压侧降压与升压变换的开关管。
逆变与变流高压直流母线的功率变换。
高压脉冲电路大电流脉冲放电与驱动。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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