2SC3998 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述

产品简介

集电极-基极电压（V_CBO）：1500V
集电极-发射极电压（V_CEO）：800V
集电极电流（I_C）：25A，脉冲 50A
集电极耗散功率（P_C）：250W @ T_C=25℃
高耐压、大电流，适合大尺寸 CRT 行输出
高速开关：t_f=100ns（Typ）
结到壳热阻仅 0.5℃/W
封装：TO-3PBL（1 基极 / 2 集电极 / 3 发射极）

2SC3998 是一款硅 NPN 三重扩散平面功率三极管，采用 TO-3PBL 封装，具有 1500V 集电极-基极电压、800V 集电极-发射极电压与 25A 集电极电流能力，耗散功率 250W，采用 HVP 与 MBIT 工艺，耐压高、开关速度快（t_f=100ns），专为高清晰度 CRT 显示器的行输出级设计，也可用于高压开关与脉冲功率电路，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-3PBL	Single-N	1500	800	6	25	5.0	8	40	Silicon NPN

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	1500	V
V_CEO	集电极-发射极电压	800	V
V_EBO	发射极-基极电压	6	V
I_C	集电极电流（连续）	25	A
I_CM	集电极电流（脉冲）	50	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	250	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结到壳热阻	0.5	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=10mA；I_B=0	800	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=800V；I_B=0	--	10	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=4V；I_C=0	--	1	mA
h_FE-1	直流电流增益	I_C=1A；V_CE=5V	8	40	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=20A；V_CE=5V	4	--	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=20A；I_B=5A	--	5	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=20A；I_B=5A	--	1.5	V

应用

CRT 行输出高清晰度 CRT 显示器行偏转输出级的功率开关应用。
高压开关高压脉冲与高压开关电路应用。
逆变器高压逆变与变换电路的功率级应用。
脉冲功率大电流脉冲发生与能量转换应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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