当前位置：首页 / 产品 / 双极型晶体管BJT

2SC4024 国产替代NPN Power Transistor

NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极电压 V_CEO：50V
集电极-基极电压 V_CBO：100V
集电极电流 I_C：10A
集电极耗散功率 P_C：35W @ T_C=25℃
直流电流增益 h_FE：300 ~ 1600 @ I_C=1A
饱和压降 V_CE(sat)：0.5V（Max）@ I_C=5A
特征频率 f_T：24MHz（Typ.）
封装：TO-220F（全模封绝缘）

2SC4024 是一款 50V/10A 的硅 NPN 外延平面功率三极管，饱和压降低、增益高（h_FE 300~1600），适用于 DC-DC 转换器、应急照明逆变器及通用开关场合，为三垦（Sanken）同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	V_CEO (V)	I_C (A)	P_C (W)	h_FE	T_j (℃)
TO-220F	50	10	35	300 ~ 1600	150

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	100	V
V_CEO	集电极-发射极电压	50	V
V_EBO	发射极-基极电压	15	V
I_C	集电极电流（连续）	10	A
I_B	基极电流（连续）	3	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	35	W
T_j	结温	150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=25mA；I_B=0	50	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=100V；I_E=0	--	10	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=15V；I_C=0	--	10	µA
h_FE	直流电流增益	I_C=1A；V_CE=4V	300	1600	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和电压	I_C=5A；I_B=0.1A	--	0.5	V
f_T	特征频率	V_CE=12V；I_E=-0.5A	24	--	MHz
C_OB	输出电容	V_CB=10V；f=1MHz	--	150	pF

应用

DC-DC 转换器开关型 DC-DC 功率变换。
应急照明逆变器应急灯逆变电路（Emergency lighting inverter）。
通用开关通用开关与驱动电路。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

如需产品选型建议、样品申请或技术咨询，欢迎通过以下方式联系我们，我们将在 24 小时内回复。

公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

官网：www.iscsemi.com

地址：江苏省无锡市新吴区新梅路68号