2SC4131Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：50V（Min）
集电极-基极电压（V_CBO）：100V
集电极电流（I_C）：15A（峰值 25A）
集电极耗散功率（P_C）：60W @ T_C=25℃
低饱和压降：V_CE(sat)=0.5V（Max）@ I_C=5A
直流电流增益（h_FE）：60 ~ 360 @ I_C=5A
封装：TO-3PF（1 基极 / 2 集电极 / 3 发射极）

2SC4131 是一款硅 NPN 外延平面功率三极管，采用 TO-3PF 全塑封隔离封装，具有 50V/15A 的电压电流能力与 60W 的集电极耗散功率，饱和压降仅 0.5V、h_FE 分档宽，适用于 DC-DC 变换器、应急照明逆变器与通用功率放大等场景，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-3PF	Single-N	100	50	15	15	0.5	60	360	Silicon NPN

绝对最大额定值（T_a=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	100	V
V_CEO	集电极-发射极电压	50	V
V_EBO	发射极-基极电压	15	V
I_C	集电极电流（连续）	15	A
I_CP	集电极电流（峰值）	25	A
I_B	基极电流（连续）	4	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	60	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	2.08	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=10mA；I_B=0	50	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=100V；I_E=0	--	10	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=15V；I_C=0	--	10	µA
h_FE	直流电流增益	I_C=5A；V_CE=5V	60	360	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=5A；I_B=80mA	--	0.5	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=5A；I_B=80mA	--	1.2	V

应用

DC-DC 变换器DC-DC 变换器（DC-DC converter）应用。
应急照明逆变器应急照明逆变器（Emergency lighting inverter）应用。
通用功率应用通用功率应用（General purpose applications）。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

如需产品选型建议、样品申请或技术咨询，欢迎通过以下方式联系我们，我们将在 24 小时内回复。

公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

官网：www.iscsemi.com

地址：江苏省无锡市新吴区新梅路68号